MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの熱アニール特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの熱アニール特性
英文:	Anneal characteristics of MOCVD-grown InAs quantum dots on GaInNAs buffer on GaAs substrate

著者

和文:	根本幸祐, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 田辺悟, 西尾礼, 小山二三夫, 宮本智之.
英文:	MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの熱アニール特性, Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Sengoku, Satoru Tanabe, Rei Nishio, FUMIO KOYAMA, Tomoyuki Miyamoto.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2009年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第70回応用物理学会学術講演会
英文:	The 70th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	富山
英文:	Toyama