Highly beryllium-doped and lattice-matched GaInAsP/InP growth by chemical beam epitaxy (CBE)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Highly beryllium-doped and lattice-matched GaInAsP/InP growth by chemical beam epitaxy (CBE)

著者

和文:	T. Uchida, Kazuaki Mise, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	T. Uchida, Kazuaki Mise, Fumio Koyama, Kenichi Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

vol. 29 no. 3 pp. 562-563

出版年月

1990年3月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI