Growth of Ga0.47In0.53As-InP double-heterostructure wafer by chemical beam epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Growth of Ga0.47In0.53As-InP double-heterostructure wafer by chemical beam epitaxy

著者

和文:	T. Uchida, Kazuaki Mise, Noriyuki Yokouchi, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	T. Uchida, Kazuaki Mise, Noriyuki Yokouchi, Fumio Koyama, Kenichi Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys

巻, 号, ページ

vol. 29 no. 9 pp. 1771-1772

出版年月

1990年9月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: