(GaAl)As/GaAs系へテロ接合型高能率電子デバイスの動作機構の解析ならびに開発に関する研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	(GaAl)As/GaAs系へテロ接合型高能率電子デバイスの動作機構の解析ならびに開発に関する研究
英文:

著者

和文:	小長井誠.
英文:	MAKOTO KONAGAI.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京工業大学

報告番号

甲第907号

学位授与日

1977/03/26

審査員

ファイル

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