Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure

著者

和文:	船水清永, Y.C. Lin, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, E.Y. Chang, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Kiyohisa Funamizu, Y.C. Lin, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, E.Y. Chang, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

vol. 25 No. 6 pp. 265-270

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	ECS 216th Meeting

開催地

和文:
英文:	Vienna, Austria

DOI