Influence of Alkali Earth Elements Capping on Electrical Characteristics of La2O3 Gated MOS Device

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Influence of Alkali Earth Elements Capping on Electrical Characteristics of La2O3 Gated MOS Device

著者

和文:	小柳友常, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Tomotsune Koyanagi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices

開催地

和文:
英文:	Tokyo Institute of Technology, Japan