InAs-Channel Metal-Oxide-Semiconductor HEMTs  with Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Gate Dielectric

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InAs-Channel Metal-Oxide-Semiconductor HEMTs with Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Gate Dielectric

著者

和文:	Chia-Yuan Chang, Heng-Tung Hsu, Edward Yi Chang, Hai-Dang Trinh, 宮本恭幸.
英文:	Chia-Yuan Chang, Heng-Tung Hsu, Edward Yi Chang, Hai-Dang Trinh, Yasuyuki Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Electrochemical and Solid-State Letters,

巻, 号, ページ

vol. 12 no. 12 pp. H456-H459

出版年月

2009年12月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI