InAs QDs grown on GaP buffer layer on Si substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InAs QDs grown on GaP buffer layer on Si substrate

著者

和文:	田辺悟, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 西尾礼, 宮本智之.
英文:	Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Rei Nishio, Tomoyuki Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2010年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 37th International Symposium on Compound Semiconductors

開催地

和文:
英文:	"Kagawa, Japan"