Reduction of surface roughness of GaP on Si substrate using strained GaInP interlayer by MOCVD

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Reduction of surface roughness of GaP on Si substrate using strained GaInP interlayer by MOCVD

著者

和文:	西尾礼, 田辺悟, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 宮本智之.
英文:	Rei Nishio, Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Tomoyuki Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2010年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

開催地

和文:
英文:	"Kagawa, Japan"