Direct deposition technique for poly-SiGe thin film achieving a mobility exceeding 20 cm2/Vs with ~30 nm thick bottom-gate TFTs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Direct deposition technique for poly-SiGe thin film achieving a mobility exceeding 20 cm2/Vs with ~30 nm thick bottom-gate TFTs

著者

和文:	Lim Cheol, 星野達也, 半那純一.
英文:	Cheol-hyun Lim, Tatsuya Hoshino, Jun-ichi Hanna.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	IMID 2009 Digest
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IMID 2009

開催地

和文:
英文:	Soul, Korea