Trade-off between density of states and gate capacitance in size-dependent injection velocity of ballistic n-channel silicon nanowire transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Trade-off between density of states and gate capacitance in size-dependent injection velocity of ballistic n-channel silicon nanowire transistors

著者

和文:	李映勲, 角嶋邦之, 白石賢二, 名取研二, 岩井洋.
英文:	Yeonghun Lee, Kuniyuki KAKUSHIMA, Kenji Shiraishi, KENJI NATORI, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Letters97, 1, ????,2010

巻, 号, ページ

97 1

出版年月

2010年

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI