Gate Semi-Around Si Nanowire FET Fabricated by Conventional CMOS Process with Very High Drivability

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Gate Semi-Around Si Nanowire FET Fabricated by Conventional CMOS Process with Very High Drivability

著者

和文:	佐藤創志, 李映勲, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 大毛利健二, 名取研二, 山田啓作, 岩井洋.
英文:	Soshi Sato, Yeonghun Lee, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2010年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	ESSDERC 2010, 40th European Solid-State Device Research Conference

開催地

和文:
英文:	Seville, Spain