Ion-Implanted Boron Activation in a Preamorphized Si Layer by Microwave Annealing

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ion-Implanted Boron Activation in a Preamorphized Si Layer by Microwave Annealing

著者

和文:	原紘司, 田主裕一朗, 黒木伸一郎, 小谷光司, 伊藤隆司.
英文:	Koji Hara, Yuichiro Tanushi, Shin-Ichiro Kuroki, Koji Kotani, Takashi Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)

巻, 号, ページ

pp. 330-331

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:	2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)

会議名称

和文:
英文:	2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)

開催地

和文:
英文:	Sendai, Japan