MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善
英文:	Reduction of surface roughness of GaP on Si substrate using strained GaInP interlayer by MOCVD

著者

和文:	西尾礼, 田辺悟, 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 宮本智之.
英文:	Rei Nishio, Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Tomoyuki Miyamoto.

言語

Japanese

掲載誌/書名

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巻, 号, ページ

出版年月

2010年7月

出版者

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会議名称

和文:	第29回電子材料シンポジウム
英文:	29th Electronic Materials Symposium

開催地

和文:	静岡
英文:	Shizuoka