Experimental study on subband structures and hole transport in (110) Si p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors under high magnetic field

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Experimental study on subband structures and hole transport in (110) Si p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors under high magnetic field

著者

和文:	高橋綱己, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田建.
英文:	T. Takahashi, T. Kodera, S. Oda, K. Uchida.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 109 pp. 034505

出版年月

2011年2月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI