Hole mobility enhancement by double-gate mode in ultrathin-body silicon-on-insulator p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Hole mobility enhancement by double-gate mode in ultrathin-body silicon-on-insulator p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

著者

和文:	S. Kobayashi, M. Saitoh, 内田建.
英文:	S. Kobayashi, M. Saitoh, K. Uchida.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Appl. Phys

巻, 号, ページ

Vol. 106 024511

出版年月

2009年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: