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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Carrier Transport and Stress Engineering in Advanced Nanoscale MOS Transistors 
著者
和文: 内田 建.  
英文: K. Uchida.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         pp. 6-7
出版年月 2009年4月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:Proceedings of International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA) 
開催地
和文: 
英文:Hsinchu, Taiwan 

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