Inversion-Layer Mobility Limited by Coulomb Scattering on Si (100), (110) and (111) n-MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Inversion-Layer Mobility Limited by Coulomb Scattering on Si (100), (110) and (111) n-MOSFETs

著者

和文:	Y. Nakabayashi, T. Ishihara, T. Numata, 内田建, S. Takagi.
英文:	Y. Nakabayashi, T. Ishihara, T. Numata, K. Uchida, S. Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

1052-1053

出版年月

2009年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Ext Abst. of the International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Sendai, Japan