Pd Schottky gate operation voltage of Si/SiGe quantum-point-contact

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Pd Schottky gate operation voltage of Si/SiGe quantum-point-contact

著者

和文:	福岡佑二, 小寺哲夫, T. Otsuka, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, K. Sawano, 内田建, Y. Shiraki, S. Tarucha, 小田俊理.
英文:	Y. Fukuoka, T. Kodera, T. Otsuka, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, K. Sawano, K Uchida, Y. Shiraki, S. Tarucha, S. Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

No. 5-17

出版年月

2011年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop

開催地

和文:
英文:	Kyoto