Experimental Characterization of Quasi-Fermi Pontential Profile in the Channel of a Silicon Nanowire Field-Effect Transistor with Four-Terminal Geometry

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Experimental Characterization of Quasi-Fermi Pontential Profile in the Channel of a Silicon Nanowire Field-Effect Transistor with Four-Terminal Geometry

著者

和文:	佐藤創志, 大毛利健二, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 名取研二, 山田啓作, 岩井洋.
英文:	Soshi Sato, Kenji Ohmori, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Express

巻, 号, ページ

Vol. 4 No. 044201

出版年月

2011年4月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: