Comparison of low-temperature electrical characteristics of gate-all-around nanowire FETs, Fin FETs and fully-depleted SOI FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Comparison of low-temperature electrical characteristics of gate-all-around nanowire FETs, Fin FETs and fully-depleted SOI FETs

著者

和文:	舘喜一, S. Barraud, 角嶋邦之, 岩井洋, S. Cristoloveanu, T. Ernst.
英文:	Kiichi Tachi, S. Barraud, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI, S. Cristoloveanu, T. Ernst.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Reliability

巻, 号, ページ

Vol. 51 pp. 885-888

出版年月

2011年5月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI