Advantages of Silicon Nanowire MOSFETs over Planar Ones Investigated from the Viewpoints of Static and Noise Properties

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Advantages of Silicon Nanowire MOSFETs over Planar Ones Investigated from the Viewpoints of Static and Noise Properties

著者

和文:	W. Feng, R. Hettiarachchi, 佐藤創志, 角嶋邦之, M. Niwa, 岩井洋, 山田啓作, 大毛利健二.
英文:	W. Feng, R. Hettiarachchi, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, M. Niwa, HIROSHI IWAI, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2011)

開催地

和文:	愛知県名古屋市
英文: