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論文・著書情報


タイトル
和文:不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性/ばらつき補償SRAM技術 
英文: 
著者
和文: 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎.  
英文: SATOSHI SUGAHARA, Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2010年9月14日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 
英文: 
開催地
和文:長崎市, 長崎 
英文: 

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