A New Spin-Functional Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Based on Magnetic Tunnel Junction Technology: Pseudo-Spin-MOSFET

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A New Spin-Functional Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Based on Magnetic Tunnel Junction Technology: Pseudo-Spin-MOSFET

著者

和文:	周藤悠介, 中根了昌, W. H. Wang, H. Sukegawa, 山本修一郎, 田中雅明, K. Inomata, 菅原聡.
英文:	Y. Shuto, R. Nakane, W. H. Wang, H. Sukegawa, S. Yamamoto, M. Tanaka, K. Inomata, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Phys. Exp.

巻, 号, ページ

vol. 3 no. 1 pp. 013003/1-3

出版年月

2010年

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI