A 21V Output Charge Pump Circuit with Appropriate Well-Bias Supply Technique in 0.18 μm Si CMOS

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A 21V Output Charge Pump Circuit with Appropriate Well-Bias Supply Technique in 0.18 μm Si CMOS

著者

和文:	白根篤史, 伊藤浩之, 石原昇, 益一哉.
英文:	Atsushi Shirane, Hiroyuki Ito, Noboru Ishihara, Kazuya Masu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	International SoC Design Conference 2011 (ISOCC2011)

巻, 号, ページ

pp. 28-31

出版年月

2011年11月17日

出版者

和文:
英文:	International SoC Design Conference 2011 (ISOCC2011)

会議名称

和文:
英文:	International SoC Design Conference 2011 (ISOCC2011)

開催地

和文:
英文:	Jeju