Advantages of Thermal Nitride and Nirtoxide Gate Films in VLSI Process

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Advantages of Thermal Nitride and Nirtoxide Gate Films in VLSI Process

著者

和文:	伊藤隆司, 中村哲夫, 石川元.
英文:	Takashi Ito, Tetsuo Nakamura, Hajime Ishikawa.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Transactions on Electron Devices

巻, 号, ページ

Vol. ED-29 No. 4 pp. 498-502

出版年月

1982年4月1日

出版者

和文:
英文:	IEEE Electron Devices Society

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: