A Nitride-Isolated Molybdenum-Polysilicon Gate Electrode for MOS VLSI Circuits

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A Nitride-Isolated Molybdenum-Polysilicon Gate Electrode for MOS VLSI Circuits

著者

和文:	伊藤隆司, 堀江博, 深野哲, 石川元.
英文:	Takashi Ito, Hiroshi Horie, Tetsu Fukano, Hajime Ishikawa.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEE Trans Electron Devices

巻, 号, ページ

Vol. ED-33 No. 4 pp. 464-468

出版年月

1986年4月1日

出版者

和文:
英文:	IEEE Electron Devices Society

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: