Continuous Growth of Heavily Doped p+-n+ Si Epitaxial Layer Using Low-Temperature Photoepitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Continuous Growth of Heavily Doped p+-n+ Si Epitaxial Layer Using Low-Temperature Photoepitaxy

著者

和文:	山崎辰也, 南方浩志, 伊藤隆司.
英文:	Tatsuya Yamazaki, Hiroshi Minakata, Takashi Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Letters

巻, 号, ページ

Vol. 55 No. 9 pp. 879-881

出版年月

1989年8月28日

出版者

和文:
英文:	American Institute of Physics

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: