Identification of MOS Gate Dielectric Breakdown Spot Using High Selectivity Cl Radical Etching Technique

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Identification of MOS Gate Dielectric Breakdown Spot Using High Selectivity Cl Radical Etching Technique

著者

和文:	杉野林志, 中西俊郎, 高崎金剛, 伊藤隆司.
英文:	Rinji Sugino, Toshiro Nakanishi, Kanetake Takasaki, Takashi Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of The Electrochemical Society

巻, 号, ページ

Vol. 143 No. 8 pp. 2691-2694

出版年月

1996年8月1日

出版者

和文:
英文:	The Electrochemical Society

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: