Abrupt and Defect-free p+-n+ Junction Formed by Low-Temperature Photo-Epitaxy with Continuous Boron and Phosphorous Doping

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Abrupt and Defect-free p+-n+ Junction Formed by Low-Temperature Photo-Epitaxy with Continuous Boron and Phosphorous Doping

著者

和文:	山崎辰也, 南方浩志, 伊藤隆司.
英文:	Tatsuya Yamazaki, Hiroshi Minakata, Takashi Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Ext. Abs. of 2lst Conf. on SSDM

巻, 号, ページ

pp. 61-62

出版年月

1989年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Ext. Abs. of 2lst Conf. on SSDM

開催地

和文:
英文:	Tokyo