A 11.7 GHz l/8 Divider using 43 GHz Si High Speed Bipolar Transistor with Photo-epitaxially Grown Ultra Thin Base

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A 11.7 GHz l/8 Divider using 43 GHz Si High Speed Bipolar Transistor with Photo-epitaxially Grown Ultra Thin Base

著者

和文:	山崎辰也, 名村行夫, 後藤寛, 田原篤, 伊藤隆司.
英文:	Tatsuya Yamazaki, Ikuo Namura, Hiroshi Goto, Atsushi Tahara, Takashi Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Tech. Digest of IEDM

巻, 号, ページ

pp. 309-312

出版年月

1990年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Tech. Digest of IEDM

開催地

和文:
英文:	Washington DC