Identification of MOS Gate Dielectric-Breakdown Spot Using High-Selectivity Etching

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Identification of MOS Gate Dielectric-Breakdown Spot Using High-Selectivity Etching

著者

和文:	杉野林志, 中西俊郎, 高崎金剛, 伊藤隆司.
英文:	Rinshi Sugino, Toshiro Nakanishi, Kanetake Takasaki, Takashi Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Ext. Abs. of Int. Conf. on SSDM

巻, 号, ページ

出版年月

1995年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Ext. Abs. of Int. Conf. on SSDM

開催地

和文:
英文:	Tokyo