Static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-transistor architecture

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-transistor architecture

著者

和文:	周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡.
英文:	Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年5月20日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	4th IEEE Int. Memory Technology Workshop (IMW2012)

開催地

和文:
英文:	Milano