Nonvolatile SRAM based on spin-transistor architecture for nonvolatile power-gating systems

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Nonvolatile SRAM based on spin-transistor architecture for nonvolatile power-gating systems

著者

和文:	周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡.
英文:	Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年10月4日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND): Prospects by World’s Leading Scientists

開催地

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