Diamond Semiconductor JFETs by Selectively Grown n+-Diamond Side Gates for Next Generation Power Devices

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Diamond Semiconductor JFETs by Selectively Grown n+-Diamond Side Gates for Next Generation Power Devices

著者

和文:	岩崎孝之, 星野雄斗, 都築康平, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Matsumoto, H. Okushi, S. Yamasaki, 波多野睦子.
英文:	Takayuki Iwasaki, Yuto Hoshino, Kouhei Tsuzuki, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Matsumoto, H. Okushi, S. Yamasaki, Mutsuko Hatano.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)(2012)

開催地

和文:
英文:	San Francisco