Highly rate growth of Ga0.47In0.53As/InP by chemical beam epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Highly rate growth of Ga0.47In0.53As/InP by chemical beam epitaxy

著者

和文:	T. Uchida, T. Uchida, K. Mise, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	T. Uchida, T. Uchida, K. Mise, F. Koyama, K. Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

TuA.7 pp. 144-147

出版年月

1990年4月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2nd Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'90

開催地

和文:
英文: