Photoluminescence characterization of GaxIn1-x As (0&lt;x&lt;0.32) strained quantum wells grown on InP by chemical beam epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Photoluminescence characterization of GaxIn1-x As (0<x<0.32) strained quantum wells grown on InP by chemical beam epitaxy

著者

和文:	T. Uchida, 宮本智之, T. Uchida, N. Yokouchi, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	T. Uchida, T. Miyamoto, T. Uchida, N. Yokouchi, F. Koyama, K. Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

1991年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	3rd Int. Conf. on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques, ICCBE-3

開催地

和文:
英文:	Oxford