Interface and electrical properties of Tm2O3 gate dielectrics for gate oxide scaling in MOS devices

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Interface and electrical properties of Tm2O3 gate dielectrics for gate oxide scaling in MOS devices

著者

和文:	幸田みゆき, 川那子高暢, パールハットアヘメト, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Miyuki Kouda, Takamasa Kawanago, Ahmet Parhat, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Vacuum Science and Technology B

巻, 号, ページ

Vol. 29 No. 6 pp. 062202-1-4

出版年月

2011年11月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: