Gate Capacitance Modeling and Diamater-Drpendent Performance of Nanowire MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Gate Capacitance Modeling and Diamater-Drpendent Performance of Nanowire MOSFETs

著者

和文:	李映勲, 角嶋邦之, 名取研二, 岩井洋.
英文:	Yeonghun Lee, Kuniyuki KAKUSHIMA, Kenji Natori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Transactions on Electron Deviices

巻, 号, ページ

Vol. 59 No. 4 pp. 1037-1045

出版年月

2012年4月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI