La2O3 gate insulators prepared by atomic layer deposition: Optimal growth conditions and MgO/La2O3 stacks for improved metal-oxide-semiconductor characteristics

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	La2O3 gate insulators prepared by atomic layer deposition: Optimal growth conditions and MgO/La2O3 stacks for improved metal-oxide-semiconductor characteristics

著者

和文:	鈴木拓也, 久保田透, パールハットアヘメト, 岩井洋.
英文:	鈴木拓也, 久保田透, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Vacuum Science & Technology A

巻, 号, ページ

Vol. 30 No. 5 pp. 051507-1-8

出版年月

2012年7月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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