論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Study on Device Parameters of Carbon Nanotube Field Electron Transistors to Realize Steep Subthreshold Slope of Less than 60 mV/Decade

著者

和文:	BERRIN PINAR ALGUL, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田建.
英文:	B. P. Algul, T. Kodera, S. Oda, K. Uchida.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys

巻, 号, ページ

Vol. 50 pp. 04DN01 (4 pages)

出版年月

2011年4月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI

T2R2について