Interface state density measurements of 3D silicon channel by charge pumping method

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英文:	Interface state density measurements of 3D silicon channel by charge pumping method

著者

言語

English

掲載誌/書名

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出版年月

2012年

出版者

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会議名称

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英文:	[550] K. Nakajima, W. Li, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Interface state density measurements of 3D silicon channel by charge pumping method”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT

開催地

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