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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Interface Properties of La-silicate MOS Capacitors with Tungsten Carbide Gate Electrode for Scaled EOT 
著者
和文: KTUOKEDAERHN, R. Tan, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Tohtarhan Kamal, R. Tan, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 片岡好則, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:ECS Transactions 
巻, 号, ページ Vol. 50    No. 4    pp. 281-284
出版年月 2012年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:ECS 222nd Meeting 
開催地
和文:Honolulu, Hawaii 
英文: 
DOI https://doi.org/10.1149/05004.0281ecst

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