Analysis and modeling of the gate leakage current in advanced nMOSFET devices with severe gate–to-drain dielectric breakdown

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis and modeling of the gate leakage current in advanced nMOSFET devices with severe gate–to-drain dielectric breakdown

著者

和文:	E. Mranda, 川那子高暢, 角嶋邦之, J. Sune, 岩井洋.
英文:	E. Mranda, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, J. Sune, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	[588] E. Miranda, T. Kawanago, K. Kakushima, J. Sune, H. Iwai, “Analysis and modeling of the gate leakage current in advanced nMOSFET devices with severe gate–to-drain dielectric breakdown”, ESREF2012, October, 2012, Cagliari, Italy

巻, 号, ページ

出版年月

2012年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	ESREF2012

開催地

和文:
英文:	Cagliari