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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Improvenents in interface, states with W-carbide metal gate for La2O3/si MOS Capacitor 
著者
和文: 細田修平, K. Tuokedaerhan, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Shuhei Hosoda, K. Tuokedaerhan, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, KAZUO TSUTSUI, 片岡好則, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2013年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37) 
開催地
和文: 
英文:Tokyo 

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