Impact of Deformation Potential Increase at Si/SiO$_{2}$ Interfaces on Stress-Induced Electron Mobility Enhancement in Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Impact of Deformation Potential Increase at Si/SiO$_{2}$ Interfaces on Stress-Induced Electron Mobility Enhancement in Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

著者

和文:	大橋輝之, 小田俊理, 内田建.
英文:	Teruyuki Ohashi, Shunri Oda, Ken Uchida.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 52 pp. 04CC12 (6 pages)

出版年月

2013年3月21日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: