Design of low threshold GaN-based quantum well surface emitting laser

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Design of low threshold GaN-based quantum well surface emitting laser

著者

和文:	A. Katsube, T. Honda, 坂口孝浩, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	A. Katsube, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama, K. Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

p. 8

出版年月

1995年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Topical Workshop on III-V Nitrides(TWIII-VN)

開催地

和文:
英文:	Nagoya