Doping control in device-grade β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> homoepitaxial films grown by pulsed-laser deposition

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Doping control in device-grade β-Ga₂O₃ homoepitaxial films grown by pulsed-laser deposition

著者

和文:	向井章, 大島孝仁, 佐々木公平, 増井建和, 倉又朗人, 山腰茂伸, 大友明.
英文:	A. Mukai, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年12月5日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2013 Materials Research Society Fall Meeting

開催地

和文:	ボストン
英文:	Boston

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