シリコン／弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の低電圧化

論文・著書情報

タイトル

和文:	シリコン／弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の低電圧化
英文:	Switching voltage reduction of resistance switching devices using silicon / fluoride resonant tunneling structures

著者

和文:	仲正路友康, 土屋和哉, 渡辺正裕.
英文:	Y. Nakashouji, K. Tsuchiya, M. Watanabe.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

16a-NC-1 14-064

出版年月

2010年9月16日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第71回応用物理学会学術講演会
英文:	The 71st Autumn Meeting of The Jpn. Soc. of Appl. Phys

開催地

和文:	秋田県
英文:	Nagasaki