CoSi<sub>2</sub> 上弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の作製と特性評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	CoSi₂ 上弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の作製と特性評価
英文:	Fabrication and characterization of resistance switching devices using fluoride based resonant tunneling structures grown on CoSi₂/Si(111)

著者

和文:	仲正路友康, 瓜生和也, 渡辺正裕.
英文:	Y. Nakashouji, K. Uryu, M. Watanabe.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

26a-KV-6 14-070

出版年月

2011年3月26日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第58回応用物理学会関係連合講演会
英文:	The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	神奈川県
英文:	Kanagawa